Infineon gewinnt Patentstreit um Galliumnitrid-Technologie gegen Innoscience
Johanna Müller
Infineon gewinnt Patentstreit um Galliumnitrid-Technologie gegen Innoscience
Das Landgericht München hat in zwei Patentverletzungsverfahren zugunsten von Infineon Technologies entschieden. Streitgegenstand ist die Galliumnitrid-Technologie (GaN), die das chinesische Unternehmen Innoscience ohne Erlaubnis nutzt. Das Gericht stellte fest, dass Innoscience für die unberechtigte Verwendung der patentierten Innovationen von Infineon haftbar ist.
Mit dem Urteil wird bestätigt, dass Innoscience die geistigen Eigentumsrechte von Infineon verletzt hat. Es handelt sich bereits um die dritte und vierte juristische Niederlage für Innoscience in ähnlichen Verfahren gegen Infineon. Zudem untersagt das Gericht Innoscience die Herstellung, den Verkauf oder die Vermarktung der patentverletzenden GaN-Produkte in Deutschland.
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Gerichte und Behörden in Deutschland und den USA waren zuvor zu derselben Einschätzung bezüglich der Produkte von Innoscience gelangt. Johannes Schoiswohl, Leiter der GaN-Sparten bei Infineon, betonte, dass das Urteil die Stärke des GaN-Portfolios von Infineon unterstreicht. Das Unternehmen hält rund 450 GaN-Patentfamilien und bleibt entschlossen, seine Innovationen zu schützen.
GaN-Technologie ist entscheidend für die Entwicklung leistungsstarker und energieeffizienter Stromsysteme. Infineon setzt weiterhin auf die Weiterentwicklung von Halbleitertechnologien und die Förderung von Innovationen in diesem Bereich.
Das Gericht verurteilte Innoscience zudem zur Zahlung von Schadensersatz an Infineon. Die Entscheidung festigt Infineons Position als führendes Unternehmen in der GaN-Technologie und unterstreicht den Willen des Konzerns, seine Rechte an geistigem Eigentum konsequent zu verteidigen.
